化学机械抛光机常用于制作半导体平面、接触或通路塞柱，或嵌入式互连线。抛光过程中可以使用颗粒抛光浆。该抛光浆可以以机械的方式和化学的方式腐蚀衬底或敷层表面。尽管抛光浆可以被加工成待用的形状，但是大多数的抛光浆都是制造出能使各组份分开的浓缩形状。
在化学机械抛光机的某些抛光浆液中，抛光颗粒能改变稀浆液的 PH值。比如，钨粉抛光浆可以是含有氧化铝颗粒和酸的水溶液。氧化铝微粒具有一个等电离点，这是在受酸作用期间，使该抛光浆更中性的基础。钨粉抛光浆经过15天左右的抛光速度大约是刚混料时的1/4左右。钨粉抛光浆经过15天左右的抛光速度大约是刚混料时的1/4左右。由含有氧化物颗粒的水溶液制成的抛光浆会产生同样的效果，因为氧化物微粒具有酸性等电离点。
为克服这些问题，可在使用之前成批混合或者在化学机械抛光机的压抛板上混合各种组份来制成抛光浆。如果是分批搅拌，则可以在大容器中混合抛光浆。这种容器的容量大约是300-340升(80-90加仑)，但也可以有几百公升的容量。一种用来去除半导体基板上氧化物的特殊方法，大约200公升(55加仑)的抛光浆可以加工约400个圆。当 PH值不稳定时，当将不稳定 PH值转化为可变的抛光率时，仍然存在着混匀现象。
刚在化学机械抛光机混合后，含氧化铝微粒和酸的水溶液的钨抛光浆的抛光速率约为每分钟3100埃，混合约一天后变成每分钟约2000埃，而从开始混合约过了15天后则趋近于每分钟约900埃。如果一次抛光一小时可抛光10个圆，用一天半的时间就可以完成400个圆的抛光。若你把抛光浆混合之后，在400个圆片上抛光，那么第一批磨光片就会达到每分钟大约3100埃，而最后一批磨光片的磨光速度大约是每分钟1600埃。这种剧烈变化的抛光速度使得加工过程难以控制。尽管最终的抛光速度稳定在每分钟500埃左右，但是对于生产而言，这一速度太低了。
化学机械抛光机是一种抛光半导体衬底用的抛光机，它备有具有一个出口的第1供给管、具有一个出口的第2供给管、具有一个进口和一个出口的混合部件，以及一个能接受来自混合部件出口的流出液的槽。该第1和第2供给管的出口都与混合部件的进口连接。
化学机械抛光机主要是半导体衬底的化学机械抛光，特别涉及解决抛光液输送给抛光机的方法。
