化学机械抛光机常用于制作半导体平面、接触或通路塞柱,或嵌入式互连线。抛光过程中可以使用颗粒抛光浆。该抛光浆可以以机械的方式和化学的方式腐蚀衬底或敷层表面。尽管抛光浆可以被加工成待用的形状,但是大多数的抛光浆都是制造出能使各组份分开的浓缩形状。
为克服这些问题,可在使用之前成批混合或者在化学机械抛光机的压抛板上混合各种组份来制成抛光浆。如果是分批搅拌,则可以在大容器中混合抛光浆。这种容器的容量大约是300-340升(80-90加仑),但也可以有几百公升的容量。一种用来去除半导体基板上氧化物的特殊方法,大约200公升(55加仑)的抛光浆可以加工约400个圆。当 PH值不稳定时,当将不稳定 PH值转化为可变的抛光率时,仍然存在着混匀现象。
化学机械抛光机主要是半导体衬底的化学机械抛光,特别涉及解决抛光液输送给抛光机的方法。