通过认证 
高端等离子刻蚀设备SI 500使用低离子能量的电感耦合等离子体用于低损伤刻蚀和纳米结构刻蚀。通过在广泛的温度范围内的动态温度控制确保了可重复且稳定的等离子刻蚀条件。深反应等离子刻蚀（硅，III-V族半导体，MEMS）可采用低温工艺和室温下的气体切换工艺来实现。能够低损伤刻蚀与高速刻蚀，自主研发的ICP等离子源，动态温度控制。
经济型等离子刻蚀设备EtchLab 200具备 低成本效益高的特点，并且支持揭盖直接 放置样片。EtchLab 200允许通过载片 器，实现多片工艺样品的快速装载，也能够直接快速地把样品装载在电极上。RIE等离子体刻蚀设备具备占地面积小， 模块化和灵活性等设计特点。低成本效益高，升级扩展性，SENTECH控制软件。
SI 591特别适用于采用氟基和氣基气体的工艺，可以通过预真空室和电脑控制的等离子工艺系统实现。SI 591的特点是占地空间小，高度灵活性，例如，SI 591可作为单一反应腔系统集成在多腔系统中。工艺灵活性，占地面积小且模块化程度高，SENTECH控制软件。
以上就是等离子刻蚀机的相关信息，如您想了解更多关于等离子刻蚀机报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。
注：对于医疗器械类产品，请先查证核实企业经营资质和医疗器械产品注册证情况。
