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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备

 
品牌: 牛津仪器
产地类别: 进口镀膜机
单价: 面议
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供货总量:
发货期限: 自买家付款之日起 天内发货
所在地: 进口
有效期至: 2023-08-19
最后更新: 2021-11-25 11:27
浏览次数: 113
 
公司基本资料信息
详细说明

PlasmaPro 100系列刻蚀与沉积设备能够安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块能够提供具有高度均匀,高产量与高精度的工艺。电极的适用温度范围宽,-150°C至400°C,可以兼容200mm以下所有尺寸的晶圆,能够快速更换到不同尺寸的晶圆工艺。购置成本低且易于维护,紧密的设计,布局灵活,实时清洗和终点监测。

我们的设备与工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,能够立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器,光电子,分立元器件和纳米技术。它具有研究和开发需要的灵活性, 同时具备量产所需要的质量可靠性。

牛津仪器的PlasmaPro 100系列具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力。该工艺模式能够提供出色的均匀性,高产量和高精度的工艺。通过均匀的高导通路径连接的腔室,将反应粒子输送到衬底 - 在维持低气压的同时,允许使用较高的气体通量。高度可变的下电极 - 充分利用等离子体的三维特性,在适合的高度条件下,衬底厚度最大可达10mm。电极的温度范围宽(-150°C至+ 400°C),可通过液氮,液体循环制冷机或电阻丝加热 - 可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换。由再循环制冷机单元供给的液体控温的电极 - 出色的衬底温度控制。射频功率加载在喷头上,同时优化气体输送 - 提供具有低频/射频切换功能的均匀的等离子体工艺,可精确控制薄膜应力。ICP源尺寸为65mm,180mm,300mm - 确保最大200mm晶圆的工艺均匀性。高抽气能力 - 提供了更宽的工艺气压窗口。晶圆压盘与背氦制冷 - 更适合的晶片温度控制。

主要应用于III-V族材料的刻蚀工艺,固体激光器InP刻蚀,VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀,射频器件低损伤GaN刻蚀,硅 Bosch和超低温刻蚀工艺,类金刚石(DLC)沉积,二氧化硅和石英刻蚀,用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺,可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆,沉积高质量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜,用于光子学、电介质层、钝化等诸多其它用途,用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀。

以上为牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备的全部信息,如您想了解更多关于牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备的报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。

注:对于医疗器械类产品,请先查证核实企业经营资质和医疗器械产品注册证情况。

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